- GB/T51453-2024(1)
- 1 总则(11)
- 2 术语(12)
- 3 总体设计(13)
- 3.1 一般规定(13)
- 3.2 厂址选择(13)
- 3.3 总图规划及布局(13)
- 4 工艺设计(15)
- 4.1 工艺流程设计(15)
- 4.2 工艺区划(15)
- 5 基本工艺(17)
- 5.1 一般规定(17)
- 5.2 基板准备(17)
- 5.3 镀膜工艺(17)
- 5.4 光刻工艺(18)
- 5.5 电镀工艺(19)
- 5.6 刻蚀工艺(20)
- 5.7 激光调阻工艺(20)
- 5.8 激光打孔工艺(21)
- 5.9 划片工艺(21)
- 5.10 测试工艺(22)
- 6 工艺设备配置(24)
- 6.1 一般规定(24)
- 6.2 基板准备工艺设备(24)
- 6.3 镀膜工艺设备(25)
- 6.4 光刻工艺设备(25)
- 6.5 电镀工艺设备(26)
- 6.6 刻蚀工艺设备(27)
- 6.7 激光调阻工艺设备(27)
- 6.8 激光打孔工艺设备(28)
- 6.9 划片工艺设备(28)
- 6.10 测试工艺设备(29)
- 7 建筑与结构(30)
- 7.1 建筑(30)
- 7.2 结构(31)
- 8 公用设施(32)
- 8.1 空气调节和净化系统(32)
- 8.2 给水排水(33)
- 8.3 气体动力(34)
- 9 电气设计(36)
- 9.1 供电系统(36)
- 9.2 照明、配电和自动控制(37)
- 9.3 通信、信息(38)
- 10 环境保护、节能与安全设施(39)
- 10.1 环境保护(39)
- 10.2 节能(39)
- 10.3 安全设施(40)
- 附录A 薄膜陶瓷基板生产基本工艺流程(42)
- 本标准用词说明(43)
- 引用标准名录(44)
- 附：条文说明(46)
- 1 总则(50)
- 3 总体设计(51)
- 3.1 一般规定(51)
- 3.2 厂址选择(51)
- 3.3 总图规划及布局(51)
- 4 工艺设计(53)
- 4.1 工艺流程设计(54)
- 5 基本工艺(54)
- 5.2 基板准备(54)
- 5.3 镀膜工艺(54)
- 5.4 光刻工艺(54)
- 5.5 电镀工艺(55)
- 5.6 刻蚀工艺(55)
- 5.7 激光调阻工艺(55)
- 5.8 激光打孔工艺(56)
- 5.9 划片工艺(56)
- 5.10 测试工艺(56)
- 6 工艺设备配置(57)
- 6.1 一般规定(57)
- 6.4 光刻工艺设备(57)
- 6.6 刻蚀工艺设备(57)
- 6.7 激光调阻工艺设备(57)
- 6.9 划片工艺设备(57)
- 7 建筑与结构(58)
- 7.1 建筑(58)
- 7.2 结构(58)
- 8 公用设施(59)
- 8.1 空气调节和净化系统(59)
- 8.2 给水排水(59)
- 8.3 气体动力(59)
- 9 电气设计(60)
- 9.1 供电系统(60)
- 9.2 照明、配电和自动控制(61)
- 9.3 通信、信息(61)
- 10 环境保护、节能与安全设施(63)
- 10.1 环境保护(63)
- 10.2 节能(63)
- 10.3 安全设施(63)
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